ZH619A0 是用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压高达 600V。
ZH619A0 具有高边和低边输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉传导。高低边的输出由输入独立控制，高压侧和低压侧均设置了欠压保护功能。
| 型号 | 类型 | 结构 | 控制接口 | 特性 | 工作温度 | 封装 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZH619A0 | 600V NN栅极驱动器 | NN驱动 | 2路PWM | -40~125℃ | SOP8 | ACTIVE |
产品特点：
驱动高边和低边N沟道功率MOSFET
高端悬浮自举电源设计，耐压可达625V
输出电流能力IO +0.3A/-0.5A
逻辑输入电平兼容3.3V / 5V / 15V
内置欠压保护功能
内置死区控制电路 (典型100ns)
高边输出与高边输入同相
低边输出与低边输入同相
内置闭锁防止直通功能封装形式：SOP8
