ZH639D0是用于功率MOSFET和IGBT的低压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOSFET或IGB。 ZH639D0工作电压为100V。
型号 | 类型 | 结构 | 控制接口 | 特性 | 温度 | 封装 | 状态 |
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ZH639D0 | 100V三相NN栅极驱动 | 3N3N | 6路PWM输入 | -40 ~125°C | QFN24/TSSOP-20 | ACTIVE |
产品特性
驱动三相N沟道MOS或IGBT
高边悬浮自举电源设计,耐压120V
集成自举二极管
集成拉灌平衡电路,与功率管栅极无需电阻二极管
输出等效电流能力2.5A
最高工作频率500kHz
逻辑输入电平兼容3.3V / 5V
高边欠压保护功能
依负载自适应死区控制电路
内置闭锁防止直通功能封装形式:QFN24,TSSOP20