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2022年11月25日 星期五 11时38分22秒
5G时代基站率先发展。传统基站占地大,影响环境美观,承重及风荷载差,功能集成少,造成城市容貌不佳和资源浪费。于是小基站应运而生,在热点区域,小基站由于功率小,可以在更小的范围内实行频率复用,提升容量,帮助宏基站分流,来填补“宏基站”的空隙,形成一张全面覆盖的整网。5G小基站5G Small Cell 5G基站主要分为宏基站和小基站。宏基站主要用于室外覆盖,体型大、覆盖面积广。但由于5G高频段工作的原因,宏基站所能覆盖的信号范围有限,还需要大量的小基站协同宏基站进行连续覆盖和室内浅层覆盖。小基站发射功率较小,根据覆盖范围大小可分为微基站、皮基站和飞基站。*小基站的设备形态和应用场景事实上,在3/4G通信中,小基站产品就已存在,只不过由于前几代宏基站的信号穿透效果较强,导致其存在感看起来并不高,但在5G时代,室内微型基站能对宏基站的覆盖范围形成“补盲补热”的效果,未来几年小基站将是5G网络建设的重点。报告预测,到2031年,公共区域将安装4500万个5G小基站。未来5年全球小基站设备年均复合增长率将达到117%。5G小基站数量预计中国市场应该有数千万量级,2024年国内小基站市场规模将达247亿元。矽力杰小基站解决方案Silergy Small Cell Solution5G时代,频段持续走高,应用场景扩大,这对运营商的室内覆盖能力提出新的需求。传统宏基站难以实现广深覆盖,而小基站无论是产品形态、发射功率还是覆盖范围都要小很多,成为实现室内覆盖的最佳方案,与宏基站形成互补。矽力杰5G小基站解决方案可提供高可靠性的PWM控制器,大电流DC/DC转换芯片,保护芯片,电流检测比较器及静电保护等方案。01PWM控制器SQ33052高集成有源钳位PWM控制器◆ 支持电压模式控制和峰值电流模式控制◆ 集成120V高压启动电路◆ 可编程软启动◆ 最大频率1MHz 的可编程振荡器◆ 可编程最大占空比钳位◆ 自适应延迟时间控制◆ 逐周期峰值限流◆ 线电压欠压保护◆ 过流短路外部过热保护◆ 紧凑型封装: QFN4x4-24SQ33065宽占空比同步降压控制器◆ 输入电压: 6~75V◆ 开关频率: 100k~1MHz ♢ 同步输入/输出功能◆ 软启动或电压跟踪◆ 0.8V±1% 参考电压 ◆ 最短导通时间: 60ns (典型值)◆ 最短关断时间: 200ns (典型值)◆ 带前馈的Ⅲ型电压模式控制◆ 高增益带宽误差放大器◆ 开漏电源良好指示器◆ 保护功能 ♢ 逐周期过流保护 ♢ VIN过压保护 ♢ 带迟滞的输入UVLO ♢ VCC和栅极UVLO保护 ♢ 带迟滞的热关断保护◆ 紧凑型封装: QFN3.5x4.5-2002POE PDSQ24902IEEE 802.3bt PD 接口控制器◆ IEEE 802.3af/at/bt受电设备(PD)控制器◆ 高达71.3W功率传输◆ 5事件分类识别◆ 卓越的浪涌保护 (100V绝对最大值)◆ 宽结温: –40~125℃◆ 过温保护◆ 集成特征电阻器◆ 用于最低功耗/最高效率的外部热插拔N沟道MOSFET◆ 低至9V的可配置辅助电源支持◆ 紧凑型封装: MSOP1003热插拔/OR-ing控制器SQ24901-48V热插拔和单相OR-ing控制器◆ -10~-80V直流工作电压,-200V绝对最大值◆ 软启动电容断开◆ 双热插拔栅极驱动器◆ 340µA栅极源电流◆ 双重电流限制 (基于VDS) ♢ 低VDS: 26mV±8% ♢ 高VDS: 3.7mV±22%◆ 可编程欠压 (±1.5%) 和过压 (±2%) ♢ 可编程迟滞 (±11%)◆ 集成OR-ing控制器 ♢ 调节: 25 mV±15 mV ♢ 快速关闭: –25 mV±4 mV◆ 超时后自动重试功能◆ 紧凑型封装: TSSOP1604电源模块SY9811015A 直流降压电源模块 ◆ 宽输入电压: 4.5~16V◆ 恒定输出电流: 15A◆ 高输出电压精度◆ 瞬时PWM快速瞬态响应◆ 准0.6/0.8/1MHz可选开关频率◆ UVP/UVLO/OTP/OVP◆ OCP和SCP的打嗝模式◆ 预偏置电压启动◆ 通过EN调节输入欠压锁定◆ 可调软启动时间◆ 负载侧遥感◆ 电源良好指示◆ 紧凑型封装: QFN7x8-52SY98106C10A 直流降压电源模块◆ 宽输入电压: 4.5~13.5V◆ 输出电流: 10A◆ 可调输出电压: 0.6~6.5V◆ 高输出电压精度◆ 瞬时PWM快速瞬态响应◆ 准0.6/0.8/1MHz可选开关频率◆ UVP/OVP/UVLO/OTP◆ OCP和SCP的打嗝模式◆ 预偏置电压启动◆ 通过EN调节输入欠压锁定◆ 可编程输出限流◆ 可调软启动时间◆ 负载侧遥感◆ 电源良好指示◆ 紧凑型封装: QFN7×7-29SY98103A3A内置电感同步降压电源模块◆ 输入电压: 4.5~18V◆ 负载电流: 3A◆ 精度: ±1% 0.6V◆ 准恒定频率: 1MHz◆ 瞬时PWM快速瞬态响应◆ 内部软启动限浪涌电流◆ 限流折返模式输出短路保护◆ 自动恢复的过温保护◆ 逐周期峰值限流◆ 输入欠压锁定◆ 紧凑型封装: QFN3×3-705DC-DCSQ29012/2012A/20A高效同步降压稳压器◆ 宽输入电压范围: ♢ SQ29012: 2.7V/3.6~16V ♢ SQ29020: 2.9V/3.6~16V◆ 内部电源开关和同步整流器◆ 准确反馈设定点: 0.6V±1%◆ 差分遥感◆ 快速瞬态响应◆ 600/800/1000kHz工作频率◆ 可编程峰值限流◆ 自动恢复输入/输出欠压保护◆ 周期谷/峰值限流◆ 周期反向限流◆ 内部软启动限制浪涌电流◆ 欠压/过压电源正常监测◆ 紧凑型封装: QFN3x4-19SQ20056/86A/8A高效同步降压稳压器◆ 宽输入电压范围: 4~23V◆ 瞬时PWM快速瞬态响应◆ 内部软启动限制浪涌电流◆ 准恒定频率:600kHz◆ 输出电流: 6A/8A◆ PFM/PWM可选轻载运行模式◆ 可选旁路输入◆ 电源正常指示器◆ 输出放电功能◆ 输出限流/短路/过压保护◆ 输入欠压锁定◆ 自动恢复功能的过温保护◆ 符合RoHS标准且无卤素◆ 紧凑型封装: QFN3x3-20SQ28956同步降压DDR VTT转换器◆ 转换电压: 0.8~6V◆ 可调输出电压: 0.4~1.2V◆ 支持DDR◆ 高达6A的连续输出源/灌电流◆ 可选0.6/1MHz开关频率◆ 可选过流限制◆ 可选PFM / FCCM◆ 预偏置电压启动◆ 外部追踪◆ 非跟踪运行的内部软启动◆ 电源正常指示器◆ 过压/过温/欠压打嗝式保护◆ 符合RoHS标准且无卤素◆ 紧凑型封装: QFN3.5x4-20◆ 符合MSL-3标准06电流检测比较器SQ52110精确电流检测比较器◆ 宽共模电压范围:0~36V◆ 可选响应时间:10μs,50μs,100μs◆ 可编程阈值: ♢ 使用单个电阻进行调整 ♢ 可编程范围为0 mV至250 mV◆ 精度: ♢ ±500μV偏移电压(最大值) ♢ 0.5μV/℃ 偏移漂移(最大值)◆ 可选迟滞:2mV,4mV,8mV◆ 有源静态电流:135μA(典型值)◆ 可选禁用模式 ♢ 禁用静态电流:3.5μA (最大值) ♢ 禁用的输入偏置电流:500nA (最大值)◆ 具有锁存模式的漏极开路输出07复位芯片SQ24370F超小封装复位芯片◆ 可调电压阈值低至500mV◆ 阈值精度: 1%(全温范围)◆ 延迟电容可调◆ 低静态电流: 9μA(典型值)◆ 外置使能输入◆ 开漏输出电压(额定18V)◆ 温度范围: -40°C~125°C◆ 超小封装: DFN1.45x1.0-608LDOSQ243333A 快速响应 LDO稳压器◆ 输出电流: 全温度范围内3A◆ 满载3A@480mV低压差电压◆ 极快的瞬态响应◆ 零电流关断模式◆ 可调输出电压◆ 低接地电流◆ 限流/短路/过温保护◆ 紧凑型封装: TO263-5SQ24335推挽输出DDR终端稳压器◆ 支持2.5/3.3V供电轨◆ VLDOIN电压: 1.1~3.5V◆ 包含压降补偿的推挽输出 的DDR终端稳压器◆ 最小输出电容20µF◆ 输出电压建立指示◆ 带使能控制◆ 灵活的REFIN输入配置: ♢ 直接输入 ♢ 电阻分压输入◆ 输出电压远端采样(VOSNS)◆ ±10mA 基准输出能力◆ 软启动/输入欠压/过流保护◆ 热关断保护◆ 支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L 及低功耗DDR3/DDR4 VTT应用◆ 紧凑型封装: DFN3x3-10SQ24301超低压降1A LDO稳压器◆ 输入电压范围: 1.6~5.5V◆ 输出电压精度: ±5%◆ 输出电流: 1A◆ 低压差: ♢ Typ.0.32V@IO=1A, VO=1.5V ♢ Typ.0.18V@ IO=1A, VO=2.8V◆ 限流/过热保护◆ 静态电流: 60μA◆ 输出自动放电功能◆ 符合RoHS标准且无卤素◆ 紧凑型封装: DFN3x3-609ESDSYS11U03低电容静电保护器◆ 高速数据线的瞬态保护:◆ IEC 61000-4-2(静电)±30kV IEC 61000-4-5(浪涌) 550W◆ 工作电压: -5~5V◆ 低电容: 0.6pF(典型值)◆ 低泄漏电流: 0.01μA@VRWM◆ 低钳位电压◆ 每个I/O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击SYS14L02低电容静电保护器◆ 高速数据线瞬态保护◆ IEC 61000-4-2(静电)±30kV◆ IEC 61000-4-4(快速瞬时脉冲) 40A(5/50ns)◆ IEC 61000-4-5(浪涌) 40A(8/20μs)◆ 具有针对高速线路优化的封装◆ 可对两条线进行保护◆ 低电容:3.0pF@0V(Typ.)◆ 低泄漏电流:0.1μA@VRWM(Typ.)◆ 低工作电压和钳位电压◆ 每个I/O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击
5G时代基站率先发展。传统基站占地大,影响环境美观,承重及风荷载差,功能集成少,造成城市容貌不佳和资源浪费。于是小基站应运而生,在热点区域,小基站由于功率小,可以在更小的范围内实行频率复用,提升容量,帮助宏基站分流,来填补“宏基站”的空隙,形成一张全面覆盖的整网。
5G小基站
5G Small Cell
5G基站主要分为宏基站和小基站。
宏基站主要用于室外覆盖,体型大、覆盖面积广。但由于5G高频段工作的原因,宏基站所能覆盖的信号范围有限,还需要大量的小基站协同宏基站进行连续覆盖和室内浅层覆盖。
小基站发射功率较小,根据覆盖范围大小可分为微基站、皮基站和飞基站。
*小基站的设备形态和应用场景
事实上,在3/4G通信中,小基站产品就已存在,只不过由于前几代宏基站的信号穿透效果较强,导致其存在感看起来并不高,但在5G时代,室内微型基站能对宏基站的覆盖范围形成“补盲补热”的效果,未来几年小基站将是5G网络建设的重点。报告预测,到2031年,公共区域将安装4500万个5G小基站。
未来5年全球小基站设备年均复合增长率将达到117%。5G小基站数量预计中国市场应该有数千万量级,2024年国内小基站市场规模将达247亿元。
矽力杰小基站解决方案
Silergy Small Cell Solution
5G时代,频段持续走高,应用场景扩大,这对运营商的室内覆盖能力提出新的需求。传统宏基站难以实现广深覆盖,而小基站无论是产品形态、发射功率还是覆盖范围都要小很多,成为实现室内覆盖的最佳方案,与宏基站形成互补。矽力杰5G小基站解决方案可提供高可靠性的PWM控制器,大电流DC/DC转换芯片,保护芯片,电流检测比较器及静电保护等方案。
01
PWM控制器
SQ33052
高集成有源钳位PWM控制器
◆ 支持电压模式控制和峰值电流模式控制
◆ 集成120V高压启动电路
◆ 可编程软启动
◆ 最大频率1MHz 的可编程振荡器
◆ 可编程最大占空比钳位
◆ 自适应延迟时间控制
◆ 逐周期峰值限流
◆ 线电压欠压保护
◆ 过流短路外部过热保护
◆ 紧凑型封装: QFN4x4-24
SQ33065
宽占空比同步降压控制器
◆ 输入电压: 6~75V
◆ 开关频率: 100k~1MHz
♢ 同步输入/输出功能
◆ 软启动或电压跟踪
◆ 0.8V±1% 参考电压
◆ 最短导通时间: 60ns (典型值)
◆ 最短关断时间: 200ns (典型值)
◆ 带前馈的Ⅲ型电压模式控制
◆ 高增益带宽误差放大器
◆ 开漏电源良好指示器
◆ 保护功能
♢ 逐周期过流保护
♢ VIN过压保护
♢ 带迟滞的输入UVLO
♢ VCC和栅极UVLO保护
♢ 带迟滞的热关断保护
◆ 紧凑型封装: QFN3.5x4.5-20
02
POE PD
SQ24902
IEEE 802.3bt PD 接口控制器
◆ IEEE 802.3af/at/bt受电设备(PD)控制器
◆ 高达71.3W功率传输
◆ 5事件分类识别
◆ 卓越的浪涌保护 (100V绝对最大值)
◆ 宽结温: –40~125℃
◆ 过温保护
◆ 集成特征电阻器
◆ 用于最低功耗/最高效率的外部热插拔N沟道MOSFET
◆ 低至9V的可配置辅助电源支持
◆ 紧凑型封装: MSOP10
03
热插拔/OR-ing控制器
SQ24901
-48V热插拔和单相OR-ing控制器
◆ -10~-80V直流工作电压,-200V绝对最大值
◆ 软启动电容断开
◆ 双热插拔栅极驱动器
◆ 340µA栅极源电流
◆ 双重电流限制 (基于VDS)
♢ 低VDS: 26mV±8%
♢ 高VDS: 3.7mV±22%
◆ 可编程欠压 (±1.5%) 和过压 (±2%)
♢ 可编程迟滞 (±11%)
◆ 集成OR-ing控制器
♢ 调节: 25 mV±15 mV
♢ 快速关闭: –25 mV±4 mV
◆ 超时后自动重试功能
◆ 紧凑型封装: TSSOP16
04
电源模块
SY98110
15A 直流降压电源模块
◆ 宽输入电压: 4.5~16V
◆ 恒定输出电流: 15A
◆ 高输出电压精度
◆ 瞬时PWM快速瞬态响应
◆ 准0.6/0.8/1MHz可选开关频率
◆ UVP/UVLO/OTP/OVP
◆ OCP和SCP的打嗝模式
◆ 预偏置电压启动
◆ 通过EN调节输入欠压锁定
◆ 可调软启动时间
◆ 负载侧遥感
◆ 电源良好指示
◆ 紧凑型封装: QFN7x8-52
SY98106C
10A 直流降压电源模块
◆ 宽输入电压: 4.5~13.5V
◆ 输出电流: 10A
◆ 可调输出电压: 0.6~6.5V
◆ UVP/OVP/UVLO/OTP◆ OCP和SCP的打嗝模式◆ 预偏置电压启动
◆ 可编程输出限流
◆ 紧凑型封装: QFN7×7-29
SY98103A
3A内置电感同步降压电源模块
◆ 输入电压: 4.5~18V
◆ 负载电流: 3A
◆ 精度: ±1% 0.6V
◆ 准恒定频率: 1MHz
◆ 内部软启动限浪涌电流
◆ 限流折返模式输出短路保护
◆ 自动恢复的过温保护
◆ 输入欠压锁定
◆ 紧凑型封装: QFN3×3-7
05
DC-DC
SQ29012/20
12A/20A高效同步降压稳压器
◆ 宽输入电压范围:
♢ SQ29012: 2.7V/3.6~16V
♢ SQ29020: 2.9V/3.6~16V
◆ 内部电源开关和同步整流器
◆ 准确反馈设定点: 0.6V±1%
◆ 差分遥感
◆ 快速瞬态响应
◆ 600/800/1000kHz工作频率
◆ 可编程峰值限流
◆ 自动恢复输入/输出欠压保护
◆ 周期谷/峰值限流
◆ 周期反向限流
◆ 内部软启动限制浪涌电流
◆ 欠压/过压电源正常监测
◆ 紧凑型封装: QFN3x4-19
SQ20056/8
6A/8A高效同步降压稳压器
◆ 宽输入电压范围: 4~23V
◆ 准恒定频率:600kHz
◆ 输出电流: 6A/8A
◆ PFM/PWM可选轻载运行模式
◆ 可选旁路输入
◆ 电源正常指示器
◆ 输出放电功能
◆ 输出限流/短路/过压保护
◆ 自动恢复功能的过温保护
◆ 符合RoHS标准且无卤素
◆ 紧凑型封装: QFN3x3-20
SQ28956
同步降压DDR VTT转换器
◆ 转换电压: 0.8~6V
◆ 可调输出电压: 0.4~1.2V
◆ 支持DDR
◆ 高达6A的连续输出源/灌电流
◆ 可选0.6/1MHz开关频率
◆ 可选过流限制
◆ 可选PFM / FCCM
◆ 外部追踪
◆ 非跟踪运行的内部软启动
◆ 过压/过温/欠压打嗝式保护
◆ 紧凑型封装: QFN3.5x4-20
◆ 符合MSL-3标准
06
电流检测比较器
SQ52110
精确电流检测比较器
◆ 宽共模电压范围:0~36V
◆ 可选响应时间:10μs,50μs,100μs
◆ 可编程阈值:
♢ 使用单个电阻进行调整
♢ 可编程范围为0 mV至250 mV
◆ 精度:
♢ ±500μV偏移电压(最大值)
♢ 0.5μV/℃ 偏移漂移(最大值)
◆ 可选迟滞:2mV,4mV,8mV
◆ 有源静态电流:135μA(典型值)
◆ 可选禁用模式
♢ 禁用静态电流:3.5μA (最大值)
♢ 禁用的输入偏置电流:500nA (最大值)
◆ 具有锁存模式的漏极开路输出
07
复位芯片
SQ24370F
超小封装复位芯片
◆ 可调电压阈值低至500mV
◆ 阈值精度: 1%(全温范围)
◆ 延迟电容可调
◆ 低静态电流: 9μA(典型值)
◆ 外置使能输入
◆ 开漏输出电压(额定18V)
◆ 温度范围: -40°C~125°C
◆ 超小封装: DFN1.45x1.0-6
08
LDO
SQ24333
3A 快速响应 LDO稳压器
◆ 输出电流: 全温度范围内3A
◆ 满载3A@480mV低压差电压
◆ 极快的瞬态响应
◆ 零电流关断模式
◆ 可调输出电压
◆ 低接地电流
◆ 限流/短路/过温保护
◆ 紧凑型封装: TO263-5
SQ24335
推挽输出DDR终端稳压器
◆ 支持2.5/3.3V供电轨
◆ VLDOIN电压: 1.1~3.5V
◆ 包含压降补偿的推挽输出
的DDR终端稳压器
◆ 最小输出电容20µF
◆ 输出电压建立指示
◆ 带使能控制
◆ 灵活的REFIN输入配置:
♢ 直接输入
♢ 电阻分压输入
◆ 输出电压远端采样(VOSNS)
◆ ±10mA 基准输出能力
◆ 软启动/输入欠压/过流保护
◆ 热关断保护
◆ 支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L
及低功耗DDR3/DDR4 VTT应用
◆ 紧凑型封装: DFN3x3-10
SQ24301
超低压降1A LDO稳压器
◆ 输入电压范围: 1.6~5.5V
◆ 输出电压精度: ±5%
◆ 输出电流: 1A
◆ 低压差:
♢ Typ.0.32V@IO=1A, VO=1.5V
♢ Typ.0.18V@ IO=1A, VO=2.8V
◆ 限流/过热保护
◆ 静态电流: 60μA
◆ 输出自动放电功能
◆ 紧凑型封装: DFN3x3-6
09
ESD
SYS11U03
低电容静电保护器
◆ 高速数据线的瞬态保护:
◆ IEC 61000-4-2(静电)±30kV
IEC 61000-4-5(浪涌) 550W
◆ 工作电压: -5~5V
◆ 低电容: 0.6pF(典型值)
◆ 低泄漏电流: 0.01μA@VRWM
◆ 低钳位电压
◆ 每个I/O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击
SYS14L02
◆ 高速数据线瞬态保护
◆ IEC 61000-4-4(快速瞬时脉冲)
40A(5/50ns)
◆ IEC 61000-4-5(浪涌) 40A(8/20μs)
◆ 具有针对高速线路优化的封装
◆ 可对两条线进行保护
◆ 低电容:3.0pF@0V(Typ.)
◆ 低泄漏电流:0.1μA@VRWM(Typ.)
◆ 低工作电压和钳位电压