G V M 0 8 x0 0 3芯片使用增强型 5 1内核,最高工作频率 6 4 M H z,内置 1 6 K B y t e s F L A S H, 1 K B y t e s S R A M , 3个 定 时 器 , 1个 看 门 狗 , 1个 S P I, 1个 I2C, 2个 U A R T, 1个 1 2 B i t 8通 道 ADC, 1个 1 0 B i t D A C, 2个 模 拟 比 较 器 。 供电电压为 2.7V 至 4 . 2 5 V,工作温度 - 4 0℃ 至 + 8 5℃ 支 持 4 种工作模式, D P D 模式功耗可低至 0 . 5 u A 提 供 Q F N 2 0 封 装 、 A Q 2 0 封装和 T S S O P 2 0 封 装 其内建高速 SPI 模块,高速 I2C 模块,用于低成本高性能的通信处理场合